9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD14N15TM,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FQD14N15TM参考价格为7.345美元。onsemi FQD14N15TM封装/规格:MOSFET N-CH 150V 10A DPAK。您可以下载FQD14N15TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如FQD14N15TM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FQD13N10TM是MOSFET 100V N-Ch QFET逻辑电平,包括卷筒封装,它们设计为与FQD13N00TM_NL零件别名一起工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.009184盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计为在to-252-3中工作,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为25 ns,上升时间为55 ns,Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为10 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型接通延迟时间为5ns,正向跨导最小值为6.3S,沟道模式为增强。
FQD13N20D,带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD13N20D采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。
FQD14N05L,带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD14N05L采用TO-251封装,是IC芯片的一部分。
FQD14N15是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 10A DPAK。FQD14N15采用TO-252-3,DPak(2引线+接线片),SC-63封装,是FET的一部分-单,支持MOSFET N-CH 150V 10A DPak。