9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDT55AN06LA0，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDT55AN06LA0参考价格为2.33美元。onsemi FDT55AN06LA0封装/规格：MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4。您可以下载FDT55AN06LA0英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDT459N是MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223，包括卷轴封装，它们设计用于FDT459N_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有3 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为8.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为5.2ns，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
FDT461N是由Fairchild制造的MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223。FDT461N在TO-261-4、TO-261AA封装中可用，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223、N沟道100V 540mA（Ta）1.13W（Ta）表面安装SOT-223-4。
FDT49FCT805ASO，带有FDT制造的电路图。FDT49FCT805ASO在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
