9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD8NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD8NM60ND参考价格$8.544。STMicroelectronics STD8NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK。您可以下载STD8NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD8NF25是MOSFET N-CH 250V 8A DPAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供72 W Pd功耗，器件具有6 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds漏极源极电阻为420 mOhm，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为16 nC。
STD8NM50N是MOSFET N-CH 500V 5A DPAK，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及N沟道MDmesh系列，该器件也可以用作790mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为45W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为5A。
STD8NM60，带有ST制造的电路图。STD8NM20可在TO-252封装中获得，是FET的一部分-单个。
STD8NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 7A DPAK。STD8NM600N可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 7A DPAK，N通道600V 7A（Tc）70W（Tc）表面安装D-Pak。
