9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3052L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3052L-7参考价格$2.11。Diodes Incorporated DMN3052L-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3。您可以下载DMN3052L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN3051LDM-7是MOSFET N-CH 30V 4A SOT26，包括DMN3051系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-26-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供900 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为64 mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN3051LDM-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMN3051LDM-7-F采用SOT-26封装，是IC芯片的一部分。
DMN3052L，电路图由DIODES制造。DMN3052L采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
