9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3112S-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3112S-7参考价格为1.044美元。Diodes Incorporated DMN3112S-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3。您可以下载DMN3112S-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN3110S-7是MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于SOT-23以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作740mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供305.8pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为2.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为73 mOhm@3.1mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@10V。
DMN3110S-7-F，带有Diodes制造的用户指南。DMN3110S-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMN3112S，电路图由DIODES制造。DMN3112S采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
