9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDG329N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDG329N参考价格为13.424美元。onsemi FDG329N封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88。您可以下载FDG329N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDG328P是MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FDG328P_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000988盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为480mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为337pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为145 mOhm@1.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@4.5V，Pd功耗为750 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为120 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为5S，信道模式为增强。
FDG327NZ-NL，带有SON/FAIRCHILD制造的用户指南。FDG327NZ-NL采用SC706L封装，是IC芯片的一部分。
FDG328P-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG328P-NL采用SC706L封装，是IC芯片的一部分。
