9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD4N50TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD4N50TF参考价格$6.218。onsemi FQD4N50TF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK。您可以下载FQD4N50TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD4N25TM_WS带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.75欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.4ns，典型接通延迟时间为6.8ns，沟道模式为增强。
FQD4N25TM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 250V 3A DPAK。FQD4N25TM提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH 250V 3A DPak、Trans MOSFET N-CH250V 3A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
FQD4N50，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD4N50在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
