这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。
特色
•4.0A，500V，RDS（开启）=1.4@VGS=10 V•低栅极电荷（典型18nC）•低Crss（典型15pF）•快速切换•100%雪崩测试•改进dv/dt能力•符合RoHS
FQU5N50CTU
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、48W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥59.11655
-
数量:
- +
- 总计: ¥59.12
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
- 供应商设备包装 I-PAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 625 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@2A，10V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、48W（Tc）
FQU5N50CTU 产品详情
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FQU5N50CTU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQU5N50CTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQU5N50CTU价格参考￥59.116550，你可以下载 FQU5N50CTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQU5N50CTU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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