9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2104L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2104L-7参考价格9.998美元。Diodes Incorporated DMN2104L-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3。您可以下载DMN2104L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2100UDM-7是MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26，包括DMN21系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有单四漏极配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为555pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为55 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为900 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为3.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，漏极-漏极电阻为55mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN2100UDM，带有DIODES制造的用户指南。DMN2100UDM在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
DMN2104L，电路图由DIODES制造。DMN2104L采用SOT-23封装，是FET的一部分-单体。
