9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD11NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD11NM60N价格参考3.738美元。STMicroelectronics STD11NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK。您可以下载STD11NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD11NM50N是MOSFET N-CH 500V 9A DPAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有70W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为8.5A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs的栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为470mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为19nC。
带有用户指南的STD11N65M2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，例如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为9.5 ns，以及26 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为MDmesh II Plus，该器件采用Si技术，该器件具有MDmesh M2系列，上升时间为7.5ns，漏极源极电阻Rds为670mOhms，Qg栅极电荷为12.5nC，Pd功耗为85W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 A，下降时间为15 ns。
STD11N65M5是MOSFET N CH 650V 9A DPAK，包括9 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，to-252-3中使用的数据表说明中显示了封装情况，提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为工作在85 W，以及480 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.13932盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
