9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQNL1N50BBU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQNL1N50BBU参考价格为5.512美元。onsemi FQNL1N50BBU封装/规格：MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3。您可以下载FQNL1N50BBU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQN1N50CTA是MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92，包括QFETR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008466盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为890mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为195pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为380mA（Tc），最大Id Vgs上的Rds为6 Ohm@190mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.4nC@10V，Pd功耗为890mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为380mA，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为10s，正向跨导最小值为0.6S，信道模式是增强。
FQN1N60CTA是MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.008466 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及13 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有供应商器件封装的TO-92-3，系列为QFETR，上升时间为21ns，Rds On Max Id Vgs为11.5 Ohm@150mA，10V，Rds On漏极-源极电阻为9.3 Ohm，功率最大值为1W，Pd功耗为1W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型导线），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为170pF@25V，Id连续漏极电流为300 mA，栅极电荷Qg-Vgs为6.2nC@10V，正向跨导最小值为0.75 S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为27 ns，漏极到源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
FQN1N60C，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQN1N60C在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQNL1N50B，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQNL1N50B在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
