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FQD9N25TM是MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为7.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极漏极-漏极电阻为420mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为6.8S，沟道模式为增强。
FQD9N25TM_F080带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为105 ns，器件的漏极-源极电阻为420 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为7.4 A，正向跨导最小值为6.8 S，下降时间为45 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQD9N25TM_F085带电路图，包括7.4 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装类型功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-252-3封装盒，该设备也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为55W，器件提供420 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.009184oz，Vds漏极源极击穿电压为250V。
FQDY0144-01，带有TOS制造的EDA/CAD模型。FQDY0144-01采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
