9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF7P06，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF7P06参考价格为1.582美元。onsemi FQPF7P06封装/规格：MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F。您可以下载FQPF7P06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF7N65CYDTU是MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF7N55CYDTU_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.090478盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有52 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
FQPF7N80C是MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以100ns的上升时间提供，器件具有1.9欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为56W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为6.6 A，正向跨导最小值为5.5 S，下降时间为60 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQPF7N80是FC制造的MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F。FQPF7N80采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F、N沟道800V 3.8V（Tc）56W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH800V 3.8A3-Pin（3+Tab）TO-220E导轨。
FQPF7N90，带有FC制造的EDA/CAD模型。FQPF7N90采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
