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IPW60R280C6是MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6-系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60R180C6FKSA1 IPW60R380C6XK SP000645032，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13.8A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为43nC，沟道模式为增强。
IPW60R250CP是MOSFET N-CH 650V 12A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS CP，器件提供250 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有104 W的Pd功耗，部件别名为IPW60R250CPFKSA1 IPW60R150CPXK SP000310511，包装为管，包装箱为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的IPW60R230P6FKSA1，包括TO-247-3包装盒，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60R130P6 SP001017088，提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS。
