9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF4N20，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF4N20参考价格为1.654美元。onsemi FQPF4N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F。您可以下载FQPF4N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF47P06是MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF47P01_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有62 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为195 ns，上升时间为450 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为30 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为50ns，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
FQPF47P06YDTU是MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.090478盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为450 ns，器件的漏极电阻为26 mOhms，Pd功耗为62 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为195 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF46N15是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F。FQPF46N15采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F、N沟道150V 25.6 A（Tc）66W（Tc）通孔TO-220F。
