9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF6N15，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF6N15参考价格10.002美元。onsemi FQPF6N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 5A TO220F。您可以下载FQPF6N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF65N06是MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF65NO6_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有56 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为40S，沟道模式为增强型。
FQPF630是MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为75 ns，器件的漏极-源极电阻为400 mOhms，Pd功耗为38 W，零件别名为FQPF630_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.3 A，正向跨导最小值为4.2 S，下降时间为64 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF5P20RDTU是MOSFET PCH 500V 2A MOSFET，包括管封装，它们设计用于硅技术，单位重量显示在数据表注释中，用于0.090478盎司。
FQPF60N06，带有FC制造的EDA/CAD模型。FQPF60N06采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
