9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP2N30，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP2N30参考价格$4.608。onsemi FQP2N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3。您可以下载FQP2N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQP2N30价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQP27P06是MOSFET P-CH 60V 27A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP27P01_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有120 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为185 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为27 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为12.4S，沟道模式为增强。
FQP27P06_SW82127和用户指南，包括-4 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.063493 oz，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为185 ns，漏极-源极电阻Rds为70 mOhms，Qg栅极电荷为33 nC，Pd功耗为120 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为-27 A，下降时间为90 ns，通道模式为增强型。
FQP27N25TM，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQP27N25TM采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
