特色
- 5.8A，100V，RDS（开启）=350mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=2.9A
- 低栅极电荷（典型值4.6nC）
- 低铬（典型值12pF）
- 100%雪崩测试
应用
- LED电视
- 照明
FQD7N10LTF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥53.35309
-
数量:
- +
- 总计: ¥53.35
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、25W（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.8A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290 pF@25 V
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 2.9A, 10V
FQD7N10LTF 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD7N10LTF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQDLX06/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥111.75588 |
| FQDLX08/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥38.17479 |
| FQDLX12/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥6.98216 |
| FQDLZ06/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥9.79463 |
| FQDLX12 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥390.10259 |
| FQDLX24 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥68.91034 |
| FQDLX04 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥424.52422 |
| FQDLX08 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥67.22897 |
| FQD50N06-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A | ¥4.68721 | |
| FQD8P10TM_F085 | ¥3.79311 |
FQD7N10LTF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQD7N10LTF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQD7N10LTF价格参考￥53.353085，你可以下载 FQD7N10LTF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQD7N10LTF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
