9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD2N30TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD2N30TM参考价格$2.474。onsemi FQD2N30TM封装/规格：MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK。您可以下载FQD2N30TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD2N100TM是MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK，包括QFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。FQD2N100 TM_NL的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.009184 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为520pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 Ohm@800mA，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15.5nC@10V，Pd功耗为2.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为35 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，Rds漏极源极电阻为7.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为1.9S，信道模式为增强。
FQD24N08TM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK。FQD24N08TM可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 19.6A DPak、N沟道80V 19.6 A（Tc）2.5W（Ta）、50W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET N-CH 80 V 19.6A Automotive 3-Pin（2+Tab）DPak T/R。
FQD2N100，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD2N100在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQD2N30是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK。FQD2N30采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 300V 1.7A DPak。
