9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQU6N25TU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQU6N25TU参考价格为5.182美元。onsemi FQU6N25TU封装/规格：MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK。您可以下载FQU6N25TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQU5N60CTU是MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK，包括管封装，它们设计为与FQU5N50CTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在IPAK-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为4.7S，沟道模式为增强。
FQU5P20TU是MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012102盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为70 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-3.7 A，正向跨导最小值为2.2 S，下降时间为25 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQU5N60C是FSC制造的MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK。FQU5N60C可提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 600V 2.8A IPak。
FQU5P20是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK。FQU5P20有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 200V 3.7A IPak。
