9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD1N50TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD1N50TF价格参考2.332美元。onsemi FQD1N50TF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK。您可以下载FQD1N50TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD19N10LTM是MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为870pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为15.6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@7.8A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@5V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为140 ns，上升时间为410ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为15.6A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为14ns，正向跨导最小值为14S，信道模式是增强。
FQD19N10TM是MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为150 ns，器件的漏极-源极电阻为100 mOhms，Pd功耗为2.5 W，零件别名为FQD19N10TM_NL，包装为卷筒，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为15.6A，正向跨导最小值为11S，下降时间为65ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQD19N10TF是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK。FQD19N10TF可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 15.6A DPak、N沟道100V 15.6 A（Tc）2.5W（Ta）、50W（Tc）表面安装D-Pak。
FQD1N50，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQD1N50采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
