9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQU13N06TU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQU13N06TU参考价格为7.376美元。onsemi FQU13N06TU封装/规格：MOSFET N-CH 60V 10A IPAK。您可以下载FQU13N06TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQU13N06LTU是MOSFET 60V N沟道QFET逻辑电平，包括管封装，它们设计为与FQU13N6LTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在IPAK-3中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为90 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为115mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为6S，沟道模式为增强。
FQU13N06LTU_WS带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在90 ns上升时间内提供，该器件具有115 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQU13N06，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQU13N06在TO-251封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQU13N06L，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQU13N06L采用TO-251封装，是FET的一部分-单个。
