9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ293P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ293P参考价格$1.8。onsemi FDZ293P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA。您可以下载FDZ293P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ2554PZ是MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，包装盒如数据表注释所示，用于18-WFBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及18-BGA（2.5x4）供应商设备封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，功率最大值为2.1W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1430pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.5A，最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@4.5V。
FDZ291P是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA。FDZ291P采用9-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA、P沟道20V 4.6A（Ta）1.7W（Ta）表面安装9-BGA（1.5x1.6）、Trans MOSFET P-CH20V 4.6A 9引脚BGA T/R。
FDZ293是由Fairchild制造的MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA。FDZ293采用9-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA。
