9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD9N08TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD9N08TM参考价格$4.846。onsemi FQD9N08TM封装/规格：MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK。您可以下载FQD9N08TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD8P10TM是MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK，包括卷筒封装，它们设计用于FQD8P10TM_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-6.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds导通漏极-漏极电阻为530mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为11ns，正向跨导最小值为4.1S，沟道模式为增强。
FQD8P10TM_F085和用户指南，包括-100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.009184 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计为在Si中工作，以及530 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作2.5W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，设备采用TO-252-3封装盒，设备具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-6.6 a。
FQD8P10，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD8P10采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD9N08是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK。FQD9N08可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 80V 7.4A DPak。
