9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXKP35N60C5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXKP35N60C5参考价格为2.642美元。IXYS IXKP35N60C5封装/规格：MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB。您可以下载IXKP35N60C5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXKP20N60C5M是MOSFET 20安培600V，包括IXKP20N060系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于COOLMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为200毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50 ns，典型导通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强型。
IXKP24N60C5M是MOSFET 24安培600V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为COOLMOS，该器件采用Si技术，该器件具有IXKP24N60系列，上升时间为5 ns，漏极电阻Rds为165 mOhms，Pd功耗为34 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8.5 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXKP13N60C5M是MOSFET 13安培600V，包括增强通道模式，它们设计用于单配置，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于6.5 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有32W的Pd功耗，Qg栅极电荷为30nC，Rds漏极-源极电阻为300mOhm，系列为IXKP13N60，技术为Si，商品名为COOLMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为3.5V。
IXKP24N60C5是MOSFET 24安培600V，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计用于硅，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXKP24N80系列。此外，通道模式为增强型，该器件以COOLMOS商品名提供，该器件具有600 V Vds漏极-源极击穿电压，Pd功耗为250 W，Id连续漏极电流为24 a，Vgs栅极-源极电压为20 V，Rds漏极源极电阻为165 mOhms，晶体管类型为1 N通道，通道数为1通道，单位重量为0.081130盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
