9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF7N10，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF7N10参考价格$5.002。onsemi FQPF7N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F。您可以下载FQPF7N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF70N10是MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF70N1 0_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供安装类型特征，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有62 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为470 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为38S，沟道模式为增强。
FQPF6N90C是MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在90 ns上升时间内提供，器件具有2.3欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为56 W，零件别名为FQPF6N90C_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，正向跨导最小值为5.5 S，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF6P25是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F。FQPF6P25采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F、P沟道250V 4.2V（Tc）45W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET P-CH250V 4.2A-3-Pin（3+Tab）TO-220E导轨。
FQPF79N15，带有Fairchild制造的EDA/CAD模型。FQPF79N15采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
