9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF1N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF1N50价格参考2.342美元。onsemi FQPF1N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F。您可以下载FQPF1N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF19N20C是MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF19N2 0C_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有43 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为115 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为135ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为10.8S，沟道模式为增强。
FQPF19N10是MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在150 ns上升时间内提供，器件具有100 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为38 W，零件别名为FQPF19N10_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为13.6 A，正向跨导最小值为10 S，下降时间为65 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF19N20是MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于80纳秒，提供正向跨导最小特性，如8.7 S，Id连续漏电流设计为工作在11.8 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，零件别名为FQPF19N20_NL，Pd功耗为50 W，漏极电阻为150 mOhms，上升时间为190 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
FQPF19N10L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F。FQPF19N10L提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F、N沟道100V 13.6 A（Tc）38W（Tc）通孔TO-220F。
