9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP4P25，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP4P25参考价格$6.776。onsemi FQP4P25封装/规格：MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3。您可以下载FQP4P25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP4N90C是MOSFET N-CH 900V 4A TO-220，包括管封装，设计用于0.063493盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为5S，沟道模式为增强。
FQP4N80C，带有FC制造的用户指南。FQP4N80C采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
FQP4N90是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220。FQP4N90在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220、N沟道900V 4.2B（Tc）140W（Tc）通孔TO-220-30、Trans MOSFET N-CH900V 4.2A3-Pin（3+Tab）TO-220AB导轨。
