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STD6NK50ZT4是MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道，金属氧化物FET类型。此外，功率最大值为90W，该器件提供500V漏极到源极电压Vdss，该器件具有690pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5.6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.2 Ohm@2.8A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μa，栅极电荷Qg-Vgs为24.6nC@10V。
STD6NM60-1，带有ST制造的用户指南。STD6NM60-1采用TO-251-3封装，是IC芯片的一部分。
STD6NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK。STD6NM60 N可提供TO-252-3 DPAK（2引线+接线片）SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 4.6A DPE、N通道600V 4.6A（Tc）45W（Tc）表面安装D-Pak。
