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FQD12N20TM_F080
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FQD12N20TM_F080

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥29.88421
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥29.88
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 910 pF@25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta),55W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 280毫欧姆@4.5A,10V

FQD12N20TM_F080 产品详情

QFET®N沟道MOSFET,6A至10.9A,Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术,为广泛的应用提供一流的运行性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、DC-DC转换器、等离子显示面板(PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻(RDS(on))降低导通状态损耗,通过降低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术,Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数(FOM)。

特色

  • 9.0A,200V,RDS(开启)=0.28Ω@VGS=10 V
  • 低栅极电荷(典型18 nC)
  • 低铬(典型18 pF)
  • 快速切换
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力

应用

  • LED电视
  • CRT/RPTV
FQD12N20TM_F080所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD12N20TM_F080 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD12N20TM_F080价格参考¥29.884205,你可以下载 FQD12N20TM_F080中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD12N20TM_F080规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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