9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTP90N02，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTP90N02参考价格为0.25000美元。onsemi NTP90N02封装/规格：MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB。您可以下载NTP90N02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTP8G206NG具有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.211644盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于GaN，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为96 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-18 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds漏极-源极电阻为340mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.7ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为6.2nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的NTP8G202NG，包括1.6V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-18V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为6.2ns，以及9.7ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为GaN，器件的上升时间为4.5 ns，器件的漏极-源极电阻为350 mOhms，Qg栅极电荷为6.2 nC，Pd功耗为65 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为5 ns，配置为单一，通道模式为增强。
NTP-8230，电路图由NEOFDELITY制造。NTP-8230采用QFN48封装，是IC芯片的一部分。
