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FQD8P10TM是MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK,包括卷筒封装,它们设计用于FQD8P10TM_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.009184盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为35 ns,上升时间为110 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为-6.6 a,Vds漏极-源极击穿电压为-100V,Rds导通漏极-漏极电阻为530mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型接通延迟时间为11ns,正向跨导最小值为4.1S,沟道模式为增强。
FQD8N25TM,带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD8N25TM采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。
FQD8P10,带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD8P10采用SOT-252封装,是IC芯片的一部分。