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FQT7N10TF是MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-223-4，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为250pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为350mOhm@850mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为1.7A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型导通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为1.85S，信道模式是增强。
FQU10N20CTU是MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012102盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为92 ns，该器件具有360 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为50 W，零件别名为FQU10N20CTU_NL，包装为管，包装盒为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.8 A，下降时间为72 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQT7P06，电路图由FSC制造。FQT7P06在SOT223封装中提供，是IC芯片的一部分。
FQU10N20C是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK。FQU10N20C有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 200V 7.8A IPak。
