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AON6407是MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作7.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供3505pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为32A（Ta），85A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.5m Ohm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.6V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为105nC@10V。
AON6408和AOS制造的用户指南。AON6408在DFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
AON6408L是AOS制造的MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN。AON6408L可提供8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单，并支持MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN、N沟道30V 14.5B（Ta）、25A（Tc）2.4W（Ta）和31W（Tc）表面安装8-DFN（5x6）。
