9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD5N20T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD5N20T4参考价格为14.584美元。STMicroelectronics STD5N20T4封装/规格：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK。您可以下载STD5N20T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD5N20LT4是MOSFET N-CH 200V 5A DPAK，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为33W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为242pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为700 mOhm@2.5A，5V，Vgs的最大Id为2.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为6nC@5V，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.5 ns，上升时间为21.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型导通延迟时间为11.5ns，正向跨导最小值为6.5S，信道模式是增强。
STD5N20，带有ST制造的用户指南。STD5N2O采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
STD5N20L，带有ST制造的电路图。STD5N220L采用SOT252封装，是IC芯片的一部分。
