9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ3N513ZT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ3N513ZT参考价格为7.926美元。onsemi FDZ3N513ZT封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP。您可以下载FDZ3N513ZT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ371PZ是MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于4-XFBGA、WLCSP以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的4-WLCSP（1x1），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1000pF@10V，FET的特点是逻辑电平门，1.5V驱动，25°C时的电流连续漏极Id为3.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为75mOhm@2A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，Pd功耗为1.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为88ns，上升时间为9.1ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为124ns，典型导通延迟时间为5.9ns，并且前向跨导Min为14S，并且信道模式为增强。
FDZ391P是MOSFET-20V P-Ch 1.5 V PowerTrench，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002258盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10 ns上升时间提供，器件具有85 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴，封装外壳为WLCSP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为10ns，配置为单双漏三源，通道模式为增强型。
FDZ375P是MOSFET 20V P沟道1.5V规格的PowerTrench，包括单一配置，它们设计用于以最小11S正向跨导，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了在-3.7A中使用的电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作WLCSP-4封装盒。此外，封装为Reel，器件提供1.7 W Pd功耗，器件具有15 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为143 mOhms，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.002413 oz，Vds漏极源极击穿电压为-20 V，并且Vgs栅极-源极电压为+/-8V，并且Vgs第二栅极-源阈值电压为-1.2V。
