9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD85N3LH5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD85N3LH5价格参考2.316美元。STMicroelectronics STD85N3LH5封装/规格：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK。您可以下载STD85N3LH5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD845DN40是TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP，包括STD845N4系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.080001盎司，具有通孔、，包装盒设计用于8-DIP（0.300英寸，7.62毫米），以及通孔安装型，该设备也可以用作8-DIP供应商设备包装。此外，配置为双重，该设备提供3W功率最大，该设备具有2 NPN（双重）晶体管型，集电器Ic最大值为4A，集电器发射极击穿最大值为400V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为12@2A，5V，Vce饱和最大Ib Ic为500mV@1A，4A，集电器截止最大值为250μA，Pd功耗为45W，其最大工作温度范围为+150℃，其最低工作温度范围为-65℃，集电极-发射极电压VCEO Max为400 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为500 mV，集电极基极电压VCBO为700 V，发射极基极电压VEBO为9 V至18 V，最大直流集电极电流为8 A，连续集电极电流4 A，并且DC集电极基极增益hfe Min为10。
STD840DN40是TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP，包括400V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1 V@400 mA、2A Vce饱和最大Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080001 oz，提供晶体管类型功能，如2 NPN（双），晶体管极性设计为在NPN下工作，以及8 DIP供应商设备包，该器件也可以用作500V至1000V晶体管系列。此外，功率最大值为3W，该设备提供3 W Pd功耗，该设备具有包装管，包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最大工作温度范围为+150 C，最大直流集电极电流为8 A，发射极基极电压VEBO为9 V至18 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为8@2A，5V，直流集电极基极增益hFE Min为8，集电极Ic Max为4A，集电极截止电流最大值为250μA，连续集电极电流为4 A，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为400 V，集电极/发射极饱和电压为1 V，集极基极电压VCBO为700 V。
STD85N10F7AG，带有ST制造的电路图。STD85N20F7AG采用TO-252封装，是晶体管-场效应晶体管、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET汽车级N沟道100 V、N沟道100V 70A（Tc）85W（Tc）表面安装DPAK、Trans MOSFET N-CH 100V 70V汽车级3引脚（2+Tab）DPAK T/R、MOSFET汽车级别N沟道100-V、典型值0.0085欧姆、DPAK封装中的70 A STripFET F7功率MOSFET”。
