9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD5865N-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD5865N-1G参考价格为0.36000美元。onsemi NTD5865N-1G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 43A DPAK。您可以下载NTD5865N-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD5862NT4G是MOSFET N-CH 60V 98A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在DPAK-3供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET N信道，FET型金属氧化物，最大功率为115W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为6000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为98A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5.7mOhm@45A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为82nC@10V，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为98A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为82nC。
NTD5862N-1G是MOSFET N-CH 60V 90A DPAK，包括2 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为70 ns，器件的漏极-源极电阻为4.4 mOhms，Pd功耗为115 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为98 A，下降时间为60 ns，配置为单一。
NTD5807N是ON公司制造的MOSFET N-CH 40V 23A DPAK。NTD5807 N可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH40V 23A-DPAK。
NTD5807NT4G是ON公司制造的MOSFET N-CH 40V 23A DPAK。NTD5807NT 4G可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH40V 23A-DPAK、N沟道40V 23V（Tc）33W（Tc。
