9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD6415ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD6415ANT4G参考价格为13.498美元。onsemi NTD6415ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 23A DPAK。您可以下载NTD6415ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD6414ANT4G是MOSFET N-CH 100V 32A DPAK，包括NTD6414AN系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有100 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为32 a，且Vds漏极-源极击穿电压为100V，且Vgs栅极-源极阈值电压为2V，且Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhms，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为38ns，且典型接通延迟时间为11ns，且Qg栅极电荷为40nC，且正向跨导Min为18S。
NTD6415ANLT4G是MOSFET N-CH 100V 23A DPAK，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为91纳秒，漏极-源极电阻Rds为44毫欧，Qg栅极电荷为35 nC，Pd功耗为83 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为23 A，正向跨导最小值为24 S，下降时间为71 ns，配置为单一。
NTD6415ANL，带有ON制造的电路图。NTD6415ANAL可用于TO-252封装，是FET的一部分-单个。
