9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQL50N40，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQL50N40参考价格为0.76美元。onsemi FQL50N40封装/规格：MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3。您可以下载FQL50N40英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQL40N50F是MOSFET N-CH 500V 40A TO-264，包括管封装，它们设计为与FQL40R50F_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-264-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有460 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为250 ns，上升时间为440 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为350ns，典型接通延迟时间为140ns，正向跨导最小值为29S，沟道模式为增强。
FQL40N50是MOSFET N-CH 500V 40A TO-264，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如140 ns，典型的关闭延迟时间设计为350 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以440 ns上升时间提供，器件具有110 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为460 W，零件别名为FQL40N50_NL，封装为管，封装外壳为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为29 S，下降时间为250 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQL40N50L，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQL40N50L采用TO-3PL封装，是IC芯片的一部分。
