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IPW90R800C3是MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW90R700C3FKSA1 IPW90R900C3XK SP000413758，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.9A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，沟道模式为增强。
IPW90R340C3是MOSFET N-CH 900V 15A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为400 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为20ns，漏极-源极电阻Rds为340mOhms，Pd功耗为208W，部件别名为IPW90R340C3FKSA1 IPW90R440C3XK SP000411306，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPW90R500C3是MOSFET N-CH 900V 11A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供Id连续漏极电流特性，如11 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为IPW90R500C3FKSA1 IPW90R5 00C3XK SP000413756，Pd功耗为156 W，漏极电阻Rds为500 mOhms，上升时间为20 ns，系列为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
