9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB800EDK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB800EDK-T1-GE3参考价格为12.346美元。Vishay Siliconix SIB800EDK-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6。您可以下载SIB800EDK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIB456DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR SC-75-6L包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-75-6L单通道，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为13W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为130pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为6.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为185 mOhm@1.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5nC@10V，Pd功耗为13W，Vgs栅极-源极电压为3V，Id连续漏极电流为6.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3v，Rds漏极源极电阻为185mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为1.8nC。
SIB488DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6，包括0.4 V至1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于12 V，提供单位重量功能，如0.003386盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为16 mOhm，该器件提供13.1 nC Qg栅极电荷，该器件具有13 W的Pd功耗，部件别名为SIB488DK-GE3，包装为卷轴，包装盒为SC-75-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为9 A，正向跨导最小值为32 S，配置为单一。
SIB45N03-13L，带有VISHAY制造的电路图。SIB45N03-13L采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
