STD35N3LH5

Name: STD35N3LH5
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7160244-STD35N3LH5
Price: 60.492701 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
最大功耗 35W (Tc)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
供应商设备包装 DPAK
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
部件状态过时的
漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@15A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 725 pF @ 25 V

STD35N3LH5 产品详情

这种STripFETV功率MOSFET技术是最新的改进之一，经过特别定制，可以实现非常低的导通状态电阻，同时也是同类最佳品质因数（FOM）之一。

特色

100%雪崩测试
表面安装DPAK（TO-252）
低速门驱动功率损失

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型号	制造商	描述	价格
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STD3055L104T4G	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3	¥169.87498
STD110N02RT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 24伏漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.40416
STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD35N3LH5所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD35N3LH5 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD35N3LH5价格参考￥60.492701，你可以下载 STD35N3LH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD35N3LH5规格参数、现货库存、封装信息等信息！