9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD4913N-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD4913N-1G参考价格$9.148。onsemi NTD4913N-1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A IPAK。您可以下载NTD4913N-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD4909N-35G是MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK，包括NTD4909N系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于IPAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.3 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为17.5nC。
NTD4909NT4G是MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NTD4909N系列。此外，Rds漏极-源极电阻为8 mOhm，器件提供17.5 nC Qg栅极电荷，器件具有1.37 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为12.1 a，正向跨导最小值为52 S，配置为单一。
NTD4910N，带有ON公司制造的电路图。NTD9910N以TO-252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
NTD4910NT4G是ON公司生产的MOSFET N-CH 30V 37A DPAK。NTD4910NT4G可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 37A-DPAK、N沟道30V 8.2A（Ta）、37A（Tc）1.37W（Ta）和27.3W（Tc）表面安装DPAK。
