9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD6415AN-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD6415AN-1G参考价格为0.49000美元。onsemi NTD6415AN-1G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 23A IPAK。您可以下载NTD6415AN-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD6414ANT4G是MOSFET N-CH 100V 32A DPAK，包括NTD6414AN系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有100 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为32 a，且Vds漏极-源极击穿电压为100V，且Vgs栅极-源极阈值电压为2V，且Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhms，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为38ns，且典型接通延迟时间为11ns，且Qg栅极电荷为40nC，且正向跨导Min为18S。
NTD60N03RT4G，带有ON制造的用户指南。NTD60NO3RT4G采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
NTD60N03T4是ON公司制造的MOSFET N-CH 28V 60A DPAK。NTD60NO3T4可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH28V 60A-DPAK、N沟道28V 60V（Tc）75W（Tc。
NTD60N03T4G带有ON制造的EDA/CAD模型。NTD60NO3T4G采用SOT252封装，是IC芯片的一部分。
