9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ATP107-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ATP107-TL-H参考价格为12.23美元。onsemi ATP107-TL-H封装/规格：MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK。您可以下载ATP107-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ATP104-TL-H是MOSFET开关器件，包括ATP104系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有60W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为260 ns，上升时间为520 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-75 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8.4mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为290ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为76nC，正向跨导Min为70S。
ATP106-TL-H是MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作ATP106系列。此外，Rds漏极-源极电阻为25 mOhms，该器件提供40 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为30A，并且配置为单一。
ATP103-TL-H是MOSFET开关器件，包括-55 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1通道的通道数量，提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及13 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作ATP103系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V。
