9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ATP201-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ATP201-TL-H价格参考0.32000美元。onsemi ATP201-TL-H封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK。您可以下载ATP201-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ATP114-TL-H是MOSFET开关MOSFET，包括ATP114系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该器件也可用于1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有60W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为55 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，漏极-源极电阻Rds为16毫欧姆，晶体管极性为P沟道。
ATP113-TL-H是MOSFET开关器件，包括-60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，该晶体管提供了晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及ATP113系列，该器件也可以用作29.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-35A。
ATP201，带有SANYO制造的电路图。ATP201采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
