9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ4670，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ4670参考价格$3.562。onsemi FDZ4670封装/规格：MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA。您可以下载FDZ4670英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ3N513ZT是MOSFET 30V集成NMOS和肖特基二极管，包括卷轴封装，它们设计为单位重量为0.001482盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如WLCSP-4，技术设计为在Si中工作，该器件也可以作为肖特基二极管配置的单个器件使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为5.5 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为0.7V，漏极-源极电阻Rds为462mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为1NC，正向跨导Min为0.5S。
FD-Z40HBW带有用户指南，包括FX-500系列，它们设计用于反射传感方法。
FD-Z40W带有电路图，包括反射传感方法，设计用于FX-500系列。
FDZ451PZ是MOSFET-20V P-Ch 1.5 V PowerTrench MOSFET，包括WLCSP-4封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计用于P沟道，以及1.5 V Vgs栅源电压，该装置也可以用作0.001482盎司单位重量。此外，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V。
