9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF5N60CYDTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF5N60CYDTU参考价格为14.658美元。onsemi FQPF5N60CYDTU封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3。您可以下载FQPF5N60CYDTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FQPF5N60C是MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF5N50C_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有33 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为4.7S，沟道模式为增强。
FQPF5N50CYDTU是MOSFET 500V N沟道QFET，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.090478盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为46 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为38 W，零件别名为FQPF5N50CYDTU_NL，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5 A，下降时间为48 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF5N60是FC制造的MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F。FQPF5N60采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F、N沟道600V 2.8A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH600V 2.8A 3引脚（3+Tab）TO-220E导轨。
FQPF5N60CNZ，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQPF5N60CNZ采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
