9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF2NA90，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF2NA90参考价格为1.742美元。onsemi FQPF2NA90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F。您可以下载FQPF2NA90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF2N80YDTU是MOSFET NCH 800V 2A MOSFET，包括管封装，它们设计为以0.090478盎司单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为12nC，正向跨导最小值为2.2S。
FQPF2N70是MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在80ns上升时间内提供，器件具有6.3欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为28W，零件别名为FQPF2N70_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，正向跨导最小值为2.45 S，下降时间为70 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF2N80是MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了28 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如2.2 S，Id连续漏电流设计为工作在1.5 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为35 W，漏极电阻Rds为6.3欧姆，上升时间为30 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V。
FQPF2N90是FSC制造的MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F。FQPF2N90采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F、N沟道900V 1.4V（Tc）35W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH900V 1.4B 3引脚（3+Tab）TO-220E导轨。
